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你對電力半導體器件特性知道多少?看星火電器

發布日期:2020-11-05 10:01
信息摘要:
如今,電力已經進入千家萬戶,給我們的生活帶來了很大的便利,電力行業也成為了熱門行業?,F代電力電子技術越來越多地應用于電力半導體器件。今天,讓我們學習一些關于電力半...
       如今,電力已經進入千家萬戶,給我們的生活帶來了很大的便利,電力行業也成為了熱門行業?,F代電力電子技術越來越多地應用于電力半導體器件。今天,讓我們學習一些關于電力半導體元件的知識。
電力半導體元件大多是以開關方式工作、控制和轉換電能的電力電子器件。如GTO、GTR、power MOSFET、IGBT、sit、Sith、MCT等。
功率半導體元件可分為三類:雙極型、單極型和混合型。
       雙極器件是半導體器件,其中電子和空穴載流子都參與傳導過程。這種裝置的導通電阻小于0.09Ω,電壓降低,阻斷電壓高,電流容量很大。常用的有GTO(關斷晶閘管)、GTR(功率晶體管)、Sith(靜電感應晶閘管)等。GTO具有高耐壓(4500V)和大電流(5000A)。GTR具有控制方便、開關時間短、傳導電壓低、高頻特性好等優點。Sith的通、關由梭形桿控制,具有通電阻小、通電壓低、開關速度快、功耗低、關斷電流增益大的特點。
單極器件是只有主要載流子參與導電過程的半導體器件。常見產品有power MOSFET和sit。前者為電壓控制裝置,具有驅動功率低、工作速度快、無二次擊穿、安全工作區寬等優點。后者是三層結構的載波器件。它具有輸出功率高、失真小、輸入阻抗高、開關特性好等優點。它可以在放大和轉換兩種狀態下工作。
       混合裝置是雙極和單極裝置的混合。它們采用高耐壓、大電流、低導通電壓的雙極器件(GTO、gir等)作為輸出元件,采用高輸入阻抗、高對應速度的單極器件(MOSFET)作為輸入級。典型產品有IGBT(絕緣棚雙極晶體管)、MCT (MOS晶閘管)等。
 

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